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      AEC-Q100認(rèn)證試驗(yàn),車規(guī)級(jí)認(rèn)證 材料檢測(cè)服務(wù)

      簡(jiǎn)要描述:AEC-Q100認(rèn)證試驗(yàn),車規(guī)級(jí)認(rèn)證:廣電計(jì)量失效分析實(shí)驗(yàn)室AEC-Q技術(shù)團(tuán)隊(duì),執(zhí)行過(guò)大量的AEC-Q測(cè)試案例,積累了豐富的認(rèn)證試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn),可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認(rèn)證試驗(yàn)服務(wù)。

      • 廠商性質(zhì):工程商
      • 更新時(shí)間:2024-11-06
      • 訪問(wèn)次數(shù):1622

      詳細(xì)介紹

      品牌廣電計(jì)量服務(wù)區(qū)域全國(guó)
      服務(wù)周期3-4個(gè)月,提供全面的認(rèn)證計(jì)劃、測(cè)試等服務(wù)發(fā)票可提供
      報(bào)告類型中英文電子/紙質(zhì)報(bào)告

      服務(wù)背景

      AEC-Q100認(rèn)證試驗(yàn),車規(guī)級(jí)認(rèn)證:IC作為重要的車載元器件部件,是AEC委員會(huì)持續(xù)關(guān)注的重點(diǎn)領(lǐng)域。AEC-Q100對(duì)IC的可靠性測(cè)試可細(xì)分為加速環(huán)境應(yīng)力可靠性、加速壽命模擬可靠性、封裝可靠性、晶圓制程可靠性、電學(xué)參數(shù)驗(yàn)證、缺陷篩查、包裝完整性試驗(yàn),且需要根據(jù)器件所能承受的溫度等級(jí)選擇測(cè)試條件。需要注意的是,第三方難以獨(dú)立完成AEC-Q100的驗(yàn)證,需要晶圓供應(yīng)商、封測(cè)廠配合完成,這更加考驗(yàn)對(duì)認(rèn)證試驗(yàn)的整體把控能力。廣電計(jì)量將根據(jù)客戶的要求,依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)客戶的IC進(jìn)行評(píng)估,出具合理的認(rèn)證方案,從而助力IC的可靠性認(rèn)證。

      廣電計(jì)量失效分析實(shí)驗(yàn)室AEC-Q技術(shù)團(tuán)隊(duì),執(zhí)行過(guò)大量的AEC-Q測(cè)試案例,積累了豐富的認(rèn)證試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn),可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認(rèn)證試驗(yàn)服務(wù)。
      產(chǎn)品范圍
      AEC-Q100認(rèn)證試驗(yàn),車規(guī)級(jí)認(rèn)證:I集成電路(IC)

      測(cè)試周期

      3-4個(gè)月,提供全面的認(rèn)證計(jì)劃、測(cè)試等服務(wù)

      測(cè)試項(xiàng)目

      序號(hào)測(cè)試項(xiàng)目縮寫樣品數(shù)/批批數(shù)測(cè)試方法
      A組 加速環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)
      A1PreconditioningPC773J-STD-020、
      JESD22-A113
      A2Temperature-Humidity-BiasTHB773JESD22-A101
      Biased HASTHASTJESD22-A110
      A3AutoclaveAC773JESD22-A102
      Unbiased HASTUHSTJESD22-A118
      Temperature-Humidity (without Bias)THJESD22-A101
      A4Temperature CyclingTC773JESD22-A104、Appendix 3
      A5Power Temperature CyclingPTC451JESD22-A105
      A6High Temperature Storage LifeHSTL451JESD22-A103
      B組 加速壽命模擬試驗(yàn)
      B1High Temperature Operating LifeHTOL773JESD22-A108
      B2Early Life Failure RateELFR8003AEC-Q100-008
      B3NVM Endurance, Data Retention, and Operational LifeEDR773AEC-Q100-005
      C組 封裝完整性測(cè)試
      C1Wire Bond ShearWBS最少5個(gè)器件中的30根鍵合線AEC-Q100-001、AEC-Q003
      C2Wire Bond PullWBPMIL-STD883 method 2011、
      AEC-Q003
      C3SolderabilitySD151JESD22-B102或 J-STD-002D
      C4Physical DimensionsPD103JESD22-B100、 JESD22-B108
      AEC-Q003
      C5Solder Ball ShearSBS至少10個(gè)器件的5個(gè)鍵合球3AEC-Q100-010、
      AEC-Q003
      C6Lead IntegrityLI至少5個(gè)器件的10根引線1JESD22-B105
      D組 晶圓制造可靠性測(cè)試
      D1ElectromigrationEM///
      D2Time Dependent Dielectric BreakdownTDDB///
      D3Hot Carrier InjectionHCI///
      D4Negative Bias Temperature InstabilityNBTI///
      D5Stress MigrationSM///
      E組 電學(xué)驗(yàn)證測(cè)試
      E1Pre- and Post-Stress Function/ParameterTEST所有要求做電學(xué)測(cè)試的應(yīng)力試驗(yàn)的全部樣品供應(yīng)商或用戶規(guī)格
      E2Electrostatic Discharge Human Body ModelHBM參考測(cè)試規(guī)范1AEC-Q100-002
      E3Electrostatic Discharge Charged Device ModelCDM參考測(cè)試規(guī)范1AEC-Q100-011
      E4Latch-UpLU61AEC-Q100-004
      E5Electrical DistributionsED303AEC Q100-009
      AEC Q003
      E6Fault GradingFG--AEC-Q100-007
      E7CharacterizationCHAR--AEC-Q003
      E9Electromagnetic CompatibilityEMC11SAE J1752/3-輻射
      E10Short Circuit CharacterizationSC103AEC-Q100-012
      E11Soft Error RateSER31JEDEC
      無(wú)加速:JESD89-1
      加速:JESD89-2或JESD89-3
      E12Lead (Pb) FreeLF參考測(cè)試規(guī)范參考測(cè)試規(guī)范AEC-Q005
      F組 缺陷篩選測(cè)試
      F1Process Average TestingPAT//AEC-Q001
      F2Statistical Bin/Yield AnalysisSBA//AEC-Q002
      G組 密封封裝完整性測(cè)試
      G1Mechanical ShockMS151JESD22-B104
      G2Variable Frequency VibrationVFV151JESD22-B103
      G3Constant AccelerationCA151MIL-STD883 Method 2001
      G4Gross/Fine LeakGFL151MIL-STD883 Method 1014
      G5Package DropDROP51/
      G6Lid TorqueLT51MIL-STD883 Method 2024
      G7Die ShearDS51MIL-STD883 Method 2019
      G8Internal Water VaporIWV51MIL-STD883 Method 1018


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